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SK海力士宣布开发出238层NAND闪存芯片拟明年上半年量产

来源：TechWeb时间：2022-08-03 18:24:54 阅读量：4015

据国外媒体报道，周二，韩国芯片制造商SK海力士宣布，已经开发出238层NAND闪存芯片据该公司称，这种芯片是最小的NAND闪存芯片与上一代芯片相比，数据传输速度提升50%，读取数据的能耗降低21%将用于PC存储设备，智能手机和服务器，计划于2023年上半年开始量产日前，SK海力士宣布完成对英特尔NAND闪存和SSD业务的第一阶段收购在第一阶段交易中，英特尔向SK海力士出售SSD业务和位于大连的NAND闪存制造工厂，SK海力士向英特尔支付70亿美元这项收购交易的第二阶段预计将在2025年3月及以后进行，届时SK海力士将向英特尔支付剩余的20亿美元根据消息显示，英特尔出售给SK海力士的相关资产由SK海力士新成立的子公司Solidigm管理由于全球经济的不确定性正在抑制消费者对电子产品的购买力，SK海力士在7月下旬宣布无限期推迟投资33亿美元新建存储芯片工厂的扩张计划根据消息显示，SK海力士决定延期扩建的工厂是该公司此前决定在清州园区建设的M17存储芯片工厂该工厂原计划于2023年晚些时候开工，预计最早于2025年完工外媒报道称，该公司之所以决定推迟扩张计划，可能是因为成本上升和市场对芯片的需求放缓

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